據(jù)Diamfab官網(wǎng)消息,近日,法國格勒諾布爾的Diamfab公司和HiQuTe Diamond公司宣布建立戰(zhàn)略技術(shù)合作伙伴關(guān)系,涵蓋價值鏈的關(guān)鍵階段,從襯底生產(chǎn)到電子元件制造,通過摻雜層的外延。
據(jù)了解,HiQuTe Diamond 將貢獻其在生產(chǎn)高質(zhì)量金剛石襯底方面的專業(yè)知識,這些襯底經(jīng)過優(yōu)化,可*大限度地提高電力電子設(shè)備的性能。
Diamfab 將負責(zé)使用先進的晶體生長工藝對摻雜層進行外延生長,以及制造高性能組件。
兩家公司預(yù)計,由于地理位置接近和行業(yè)敏捷性,他們將能夠加快迭代周期,以快速實現(xiàn)*的技術(shù)和財務(wù)績效,從而使金剛石半導(dǎo)體成為工業(yè)現(xiàn)實。
“金剛石半導(dǎo)體的性能水平比基于傳統(tǒng)材料的組件高10-40倍,是廣泛采用電氣化和整個經(jīng)濟部門脫碳的關(guān)鍵,”Diamfb 的首席執(zhí)行官 Gauthier Chicot 說!巴ㄟ^與 HiQuTe Diamond 合作,我們有意愿和技術(shù)、人力和地理資源在法國創(chuàng)造這個*的行業(yè),”他補充道。
“等離子體輔助CVD生長工藝可以生產(chǎn)出特別適用于電力電子要求苛刻的硼摻雜金剛石,”HiQuTe Diamond 首席執(zhí)行官 Florent Alzetto 指出。“這種可持續(xù)的工藝確保了對物理特性的嚴格控制,同時應(yīng)對性能挑戰(zhàn),”他補充道!拔覀兒 Diamfab 的專業(yè)知識融合為應(yīng)對性能和能源效率方面的全球工業(yè)挑戰(zhàn)提供了*的機會。
兩家公司計劃開始合作,使用Diamfab優(yōu)化的金剛石外延技術(shù),在HiQuTe Diamond襯底上制造*個系列的垂直肖特基二極管,*批原型預(yù)計將于 2025 年春季推出。
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